技術(shù)參數(shù)● 探測(cè)器:①3”×3”LaBr3晶體,高量程GM管;●能量響應(yīng)范圍:30KeV-3MeV;● 能量分辨率:
技術(shù)參數(shù)● 探測(cè)器:≥18cm3CZT(CdZnTe) 半導(dǎo)體探測(cè)器或或溴化鑭探測(cè)器;●實(shí)時(shí)同位素探測(cè)并識(shí)別● 能量響應(yīng)范圍:50 keV-3MeV(能譜);
技術(shù)指標(biāo)●探測(cè)器類型:P型同軸高純鍺+3He中子探測(cè)器●相對(duì)探測(cè)效率:≥40%●γ劑量率測(cè)量范圍:0 05mR h~100R h●能量響應(yīng)范圍:50keV~3
技術(shù)參數(shù):大效率HPGe 晶體,相對(duì)于Micro-Detective-HX 相對(duì)效率提升3倍;進(jìn)一步優(yōu)化的識(shí)別分析算法,讓任何放射源無(wú)處遁形;
技術(shù)參數(shù)● 操作模式:多種;● 采樣和計(jì)數(shù)時(shí)間:用戶自定;● 最大計(jì)數(shù)率:10000cps;● 電子學(xué)噪聲:<0 4cpm;● 探測(cè)器:600A,ZnS(Ag
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