技術(shù)參數(shù)
●探測(cè)器:同軸高純鍺探測(cè)器
●相對(duì)探測(cè)效率:≥175%
●能量響應(yīng)范圍:3 kev~10 Mev
●峰康比:≥ 90:1
●積分本底:(50keV~2MeV) ∶<12cpm/0.2cps
結(jié)構(gòu)介紹
1-HPGe 探測(cè)器;
3-測(cè)量腔室;
5-鎘片;
7-光電倍增管;
9-支撐鋼套;
11-垂直冷指;
13-制冷器;
2-馬林杯樣品盒;
4-內(nèi)隔離鉛室;
6-塑料閃爍體探測(cè)器;
8-外屏蔽鉛室;
10-氮?dú)鈱?dǎo)入管;
12-前置放大器;
14-探測(cè)器垂直自動(dòng)升降系。
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